华力微电子:55纳米嵌入式闪存工艺

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2015-03-14
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  华力微电子基于55nm低功耗逻辑工艺平台的基础上建立55nm嵌入式闪存工艺,此工艺平台具有以下特点和优势:

  - 核心电压:1.2V,IO电压:2.5V或5V

  - 在标准CMOS工艺基础上嵌入SONOS技术,无需改变标准器件特性和模型

  - 可完整保留基于55nm低功耗逻辑工艺设计的IP库

  - 附加光罩层次少,工艺成本低

  - 编程工作电压低,功耗少

  - 可持续微缩至更先进工艺节点

  


来源:            责任编辑:赵强
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