华力微电子和赛普拉斯共同完成55纳米嵌入式闪存单元知识产权(IP)验证

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2015-03-14
放大缩小

  中国上海,美国加州圣何塞市,2014年8月25日——作为国内最先进的晶圆代工厂之一的上海华力微电子有限公司(“华力微电子”)与业界领先的嵌入式非挥发性内存解决方案的领导者—赛普拉斯半导体股份有限公司(纳斯达克:CY)(“赛普拉斯”)今天共同宣布:基于赛普拉斯SONOS嵌入式闪存知识产权(IP)开发的闪存单元已在华力微电子55纳米工艺节点通过验证。此次开发的SONOS闪存单元专为智能卡和物联网的应用而设计。赛普拉斯SONOS嵌入式闪存IP具有低生产成本的优势,并可随着未来工艺节点的发展而持续微缩。此项技术和设计IP将于2015年下半年应用于华力微电子客户产品的大批量生产。

  华力微电子于2014年1月取得赛普拉斯55纳米SONOS嵌入式非挥发性闪存(NVM)技术授权。此项技术具有显著的优势,相对于其它嵌入式非挥发性闪存技术通常需要外加9到12层光罩,赛普拉斯的SONOS技术只需在标准CMOS工艺基础上外加3层光罩,从而降低了生产成本。在标准CMOS工艺基础上嵌入SONOS技术,无需改变标准器件的特性和模型,并可保留现有基于标准CMOS工艺设计的所有IP。SONOS技术使产品具有高良率和一流的可靠性,能够保存10年的数据,经受10万次擦写并且高度预防软错误的发生。赛普拉斯已经证明其可将SONOS技术微缩到40和28纳米工艺技术节点,从而加速未来IP的开发。

  华力微电子副总裁舒奇表示:“我们很高兴与赛普拉斯共同达成‘55纳米SONOS嵌入式闪存验证’这一技术里程牌,我们的客户也将从中获益,例如符合成本效益和经过验证的高良率等优势,其可靠度和高效性也是物联网和智能卡产品大批量生产的关键。”

  赛普拉斯技术和硅知识产权业务部副总裁Sam Geha 表示:“与华力微电子共同达成55纳米SONOS闪存单元验证,证明了此项技术的可微缩性和易设计性等优势,也证明了华力微电子的专业制造能力。SONOS技术的低成本、高效能及可靠性是迅速成长中的智能卡、物联网、银行卡、可穿戴电子产品和其它逻辑产品市场的理想推进力。赛普拉斯将继续与华力微电子这样的业界领导者合作,让SONOS成为业界嵌入式非挥发性闪存平台的选择。”


来源:            责任编辑:赵强
分享到:
0