中国首批国产8英寸IGBT芯片达国际先进水平

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2015-01-27
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  继国内首条8英寸IGBT专业芯片线在南车株洲投产后,载有首批8英寸IGBT芯片的模块,在昆明地铁车辆段完成段内调试,并稳定运行一万公里,各项参数指标均达国际先进水平,显示IGBT芯片达国际先进水平。2008年,南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司,2012年,株洲所投资15亿元,在株洲建设起国内第一条8英寸IGBT专业芯片线,并于今年6月正式投产。10月,自主IGBT模块成功通过功率考核试验,并于当月底装载至昆明地铁1号线城轨车辆。

  点评:作为电力电子装置的“心脏”,IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是,国内IGBT技术起步较晚,发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场因此一直被国外公司垄断。上述成绩的取得显示我国功率半导体业也取了得好的开端。


来源:中国电子报、电子信息产业网            责任编辑:赵强
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